پژوهشگران دانشگاه کالیفرنیا به تازگی اعلام کرده‌اند قصد دارند به شرکت سامسونگ در ساخت نسل جدیدی از حافظه‌های غیر فرار کمک کند.
تاریخ انتشار: ۱۹ دی ۱۳۹۵ - ۱۴:۱۵
کد خبر: ۲۳۷۱۶
به گزارش گرداب ، رایانه‌های امروزی از 4 نوع مختلف از حافظه‌ها استفاده می‌کنند که شامل دیسک سخت، رم، درایو نوری و حافظه‌ی نهان یا کَش می‌شود. هر یک از این حافظه‌ها دارای نقاط قوت و ضعف خود هستند و با سرعت متفاوتی نسبت به یکدیگر فعالیت می‌کنند. گروهی از پژوهشگران به‌تازگی فناوری جدیدی را معرفی کرده‌اند که می‌تواند مرز بین حافظه‌ها را از بین برده و ترکیبی منحصربه‌فرد را ایجاد کند. این فناوری با نام «گشتاور چرخش انتقال مغناطیسی حافظه با دسترسی تصادفی» (1STT-MRAM) شناخته می‌شود.

هالگر اشمیت (Schmidt)، استاد الکترونیک نوری2 (Optoelectronicss) دانشگاه کالیفرنیا، سانتا کروز آمریکا گفت: «همه‌ی فناوری‌های به کار رفته در انواع حافظه مختلف، دارای نقاط قوت و ضعف خاص خود هستند. و مردم امیدوارند "STT-MRAM" نکات مثبت همه را در کنار هم جمع کند.»
آزمایشگاه اشمیت (Schmidt's lab)، به تازگی به عنوان یکی از 15 همکار برنامه‌ی «نوآوری جهانی اِم.رم سامسونگ» (Samsung Global MRAM Innovation) فعالیت خود را آغاز کرده است تا در ساخت رم‌های مذکور مشارکت داشته باشند. بر اساس گزارش‌های منتشر شده اشمیت با استفاده از فناوری‌های نوری بر پایه‌ی «پالس‌های لیزری فوق کوتاه3» (ultra-short laser pulses) به مطالعه روی نمونه‌های تولید شده توسط سامسونگ پرداخته و ارزیابی خود از فناوری، مواد و فرآیند ساخت ارائه می‌دهد تا کیفیت محصول افزایش پیدا کند.

حافظه‌ی STT-MRAM اطلاعات را در یک حالت مغناطیسی از  واحدهای نانو مغناطیسی کوچک‌تر از 100 نانومتر نگه‌داری می‌کند. بر خلاف دیگر فناوری‌های ذخیره‌سازی مغناطیسی، مانند دیسک سخت که دارای دیسک‌های در حال چرخش و نوک خواندن و نوشتن مغناطیسی هستند، حافظه‌های جدید هیچ بخش متحرکی ندارند؛ زیرا در آن از جریان الکتریسیته برای خواندن و نوشتن استفاده می‌شود. با وجود این پژوهشگران معتقدند این فناوری هنوز جای پیشرفت بسیاری داشته و پتانسیل بسیار زیادی برای ذخیره‌سازی و جابه‌جایی اطلاعات با سرعت بالا دارد. همچنین از آنجایی که این حافظه از نوع غیر فرار است با قطع برق اطلاعات از بین نمی‌روند.

شرکت آی. بی. اِم نیز در گذشته اعلام کرده بود با همکاری سامسونگ در حال تولید نسل جدیدی از حافظه‌های غیر فرار4 (Non-volatile Ramm) است که 100 هزار برابر از فلش‌های نند5 (NAND flash) سریع‌تر بوده و هرگز فرسوده نمی‌شود.
زمان و قیمت عرضه‌ی این نوع رم‌ها به بازار اعلام نشده است.
___________________________________________
1- spin-transfer torque magnetic random access memory
2- الکترونیک نوری، مطالعه و استفاده از دستگاه‌هایی الکترونیکی است که نور را تولید، شناسایی و کنترل نمایند. الکترونیک نوری معمولاً زیرشاخه‌ای از فوتونیک یا الکترونیک در نظر گرفته می‌شود.
3- لیزرهای پالسی فوق کوتاه لیزرهایی هستند که پالس‌هایی فوق کوتاه که به طور کلی طول پالس آن‌ها بین چند فمتوثانیه تا چند پیکوثانیه است را تولید می‌کنند؛ این لیزرها همچنین با نام لیزرهای فوق سریع نیز شناخته می‌شوند.
4 - حافظه‌های غیر فرار (Non-volatile random-access memory)، نوعی حافظه است که در زمان خاموش شدن سیستم‌ها نیز اطلاعات حفظ می‌کند و یکی از کاربردهای فعلی آن ساخت حافظه‌های فلش و دیسک‌های جامد (SSD) است.
5 - نوعی از حافظه‌های غیر فرار هستند که به منظور کاهش هزینه‌ی تولید به ازای هر بیت و افزایش ظرفیت ابزارهای ذخیره‌سازی جدید ایجاد شد.

برچسب اخبار:
برچسب ها: حافظه ، فلش ، رم ، SSD ، بیت
نظر شما :
نام:
ایمیل:
* نظر:
* کد امنیتی:
Chaptcha
حروفي را كه در تصوير مي‌بينيد عينا در فيلد مقابلش وارد كنيد